Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 241-9876
Herst. Teile-Nr.:: BSC034N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 241-9876
Herst. Teile-Nr.:: BSC034N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	BSC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie BSC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC034N06NSATMA1

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC034N06NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Gerät, das für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er liefert eine robuste Leitfähigkeit bei moderaten Spannungswerten und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für industrielle Umgebungen.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedrige Rds(on) von 0.7 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 381 A ermöglicht schwere Lasten
• Maximale Verlustleistung 81 W für dauerhaftes Wärmemanagement
• Die Durchlassspannung Vf von 1,2 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• Typische Gate-Ladung Qg 80 nC für effiziente Schaltsteuerung

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Ideal für Motorantriebsstufen in Industrieanlagen
• Wird mit Power-Management-Modulen in Servern und Racks verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?

Das Gerät darf eine Gate-to-Source-Spannung von 20 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu vermeiden.

Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?

Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ist somit für raue Umgebungen geeignet.

Wie viele Stifte sind für die Leiterplatten-Integration und -Montage vorgesehen?

Er wird in einer 8-poligen Konfiguration für die Oberflächenmontage geliefert.

Wie hoch ist die maximale Nennspannung zwischen Ableitung und Quelle für Schaltanwendungen?

Die maximal zulässige Drain-Source-Spannung beträgt 40 V für den Aus-Zustand.