Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 241-9877
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC034N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC034N06NSATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Gerät, das für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er liefert eine robuste Leitfähigkeit bei moderaten Spannungswerten und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für industrielle Umgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedrige Rds(on) von 0.7 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 381 A ermöglicht schwere Lasten
• Maximale Verlustleistung 81 W für dauerhaftes Wärmemanagement
• Die Durchlassspannung Vf von 1,2 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• Typische Gate-Ladung Qg 80 nC für effiziente Schaltsteuerung
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 381 A ermöglicht schwere Lasten
• Maximale Verlustleistung 81 W für dauerhaftes Wärmemanagement
• Die Durchlassspannung Vf von 1,2 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• Typische Gate-Ladung Qg 80 nC für effiziente Schaltsteuerung
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Ideal für Motorantriebsstufen in Industrieanlagen
• Wird mit Power-Management-Modulen in Servern und Racks verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Ideal für Motorantriebsstufen in Industrieanlagen
• Wird mit Power-Management-Modulen in Servern und Racks verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?
Das Gerät darf eine Gate-to-Source-Spannung von 20 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu vermeiden.
Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?
Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ist somit für raue Umgebungen geeignet.
Wie viele Stifte sind für die Leiterplatten-Integration und -Montage vorgesehen?
Er wird in einer 8-poligen Konfiguration für die Oberflächenmontage geliefert.
Wie hoch ist die maximale Nennspannung zwischen Ableitung und Quelle für Schaltanwendungen?
Die maximal zulässige Drain-Source-Spannung beträgt 40 V für den Aus-Zustand.
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