Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-5820
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB048N15N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPB048N15N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 273 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB048N15N5LFATMA1
Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein Leistungsschaltgerät, das für Hochstrom-Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das für wärmemanagierte Leiterplatten geeignet ist. Das Gerät ist RoHS-konform und für Systeme ausgelegt, die eine hohe kontinuierliche Ablassleistung und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Drain-Source-Festigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 273 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• Niedrige Rds(on) von 1.7 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung zur Unterstützung von Hochleistungsbetrieb
• 80 nC Gesamt-Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 1,2 V Durchlassspannung zur Minimierung des Leitungsspannungsabfalls der Diode
• 273 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• Niedrige Rds(on) von 1.7 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung zur Unterstützung von Hochleistungsbetrieb
• 80 nC Gesamt-Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 1,2 V Durchlassspannung zur Minimierung des Leitungsspannungsabfalls der Diode
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstromversorgungen und Wandler
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strombedarf erfordern
• Wird für die Server-Stromverteilung und Bus-Umschaltung verwendet
• Kann für Telekommunikations-Gleichrichter und Wechselrichter verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge bei rauen Temperaturen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strombedarf erfordern
• Wird für die Server-Stromverteilung und Bus-Umschaltung verwendet
• Kann für Telekommunikations-Gleichrichter und Wechselrichter verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge bei rauen Temperaturen
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?
Das Gate sollte eine Spannungsbegrenzung von 20 V Vgs nicht überschreiten, um Gate-Schäden zu verhindern.
Wie verträgt es extreme thermische Umgebungsbedingungen?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C für den Einsatz in einem breiten Temperaturbereich.
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Das Gerät ist für die Oberflächenmontage in einer TO-263-Grundfläche vorgesehen.
Welches Leitungsverhalten können Konstrukteure von der intrinsischen Diode erwarten?
Die Durchlasscharakteristik ist auf 1,2 V Vf für den diodenbezogenen Stromfluss angegeben.
Welche Kanalpolarität bietet das Gerät für die Schaltungsintegration?
Er verwendet eine N-Kanal-Konfiguration für herkömmliche High-Side- oder Low-Side-Schaltungen.