Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 4-Pin LFPAK88

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RS Best.-Nr.:
243-4436
Herst. Teile-Nr.:
BUK7S0R5-40HJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia mit Kfz-Zulassung verwendet die neueste Trench 9 Low Ohm Super Junction-Technologie und ist in einem Kupferklemmen-LFPAK88-Gehäuse untergebracht. Dieses Produkt wurde vollständig entwickelt und qualifiziert, um die Anforderungen von AEC-Q101 zu erfüllen und so eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu bieten.

-55 °C bis +175 °C Nennwert geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen

Das dünne Gehäuse und der Kupferclip ermöglichen dem LFPAK88 einen hohen thermischen Wirkungsgrad

Erhöhte maximale Strombelastbarkeit und hervorragende Stromverteilung

Niedrige Quelleninduktivität

Niedriger thermischer Widerstand Rth

Visuelle (AOI) Lötkontrolle, keine Notwendigkeit für teure Röntgengeräte

Leichte Lotbenetzung für gute mechanische Lötverbindung

Reduzierter Zellabstand und Super-Junction-Plattform ermöglichen niedrigere RDSon bei gleicher Grundfläche

12-V-Kfz-Systeme,

48-V-DC/DC-Systeme (auf der 12-V-Sekundärseite)

Motoren, Lampen und Magnetsteuerung mit höherer Leistung,

Verpolungsschutz,

Hochleistungs-Leistungsschaltung

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