Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 4-Pin LFPAK88

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RS Best.-Nr.:
243-4876
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR55-40SSHJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET von Nexperia in LFPAK88-Gehäuse mit 500 A Dauerstrom, Standard-Pegel-Gate-Antrieb. Die Next Power S3-Familie mit der einzigartigen "Schottky Plus"-Technologie von Nexperia bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematisch hohen Leckstrom. Next Power S3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen und auch für sicheres und zuverlässiges Schalten bei hohem Laststrom.

Kupferclip- und Löt-Die-Befestigung für niedrige Gehäuseinduktivität und -widerstand sowie eine hohe ID-Bewertung (max.)

Idealer Ersatz für D2PAK- und 10 x 12-mm-Gehäuseausführungen ohne Leitungen

Qualifiziert bis 175 °C

Erfüllt die UL2595-Anforderungen für Kriech- und Luftstrecken

Lawinentauglich, 100 % getestet

Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen.

Schnelles Schalten mit weicher Gehäuse-Diode-Erholung für niedrige Spitzen und Ringen, für Designs mit niedrigem EMI empfohlen

Bürstenlose DC-Motorsteuerung

Synchron-Gleichrichter in Hochleistungs-AC/DC-Anwendungen, z. B. Server-Netzteile

Batterieschutz und Batteriemanagementsysteme (BMS)

eSicherung und Lastschalter

Hotswap/Einschaltstromverwaltung

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