Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
243-9302
Herst. Teile-Nr.:
IRL60HS118
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IRFH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRL60HS118 von Infineon ist in drei verschiedenen Spannungsklassen (60 V, 80 V und 100 V) erhältlich. Die neuen Logikpegel-Leistungs-MOSFETs von Infineon eignen sich hervorragend für drahtlose Lade-, Telekommunikations- und Adapteranwendungen. Das PQFN 2x2-Gehäuse ist besonders geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und formfaktorkritische Anwendungen. Es ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen verbesserten Wirkungsgrad sowie eine erhebliche Platzersparnis.

Designs mit höherer Leistungsdichte,

höhere Schaltfrequenz,

verwendet OptiMOSTM5 Chip,

reduzierte Teilenzahl, wo immer 5-V-Netzteile verfügbar sind,

direkt von Mikrocontrollern angetrieben (langsam schalten),

Systemkostenreduzierung

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