Infineon IRFH N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 243-9302
Herst. Teile-Nr.:: IRL60HS118
Marke:: Infineon

Infineon IRFH N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:: 243-9302
Herst. Teile-Nr.:: IRL60HS118
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	11A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	IRFH
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie IRFH
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IRL60HS118

MOSFET der IRFH-Serie von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 40 V maximale Drain-Source-Spannung – IRL60HS118

Dieser MOSFET ist ein SMD-Leistungsschalter, der für Hochstrom-Hochgeschwindigkeitsschaltungen in der Automobil- und Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Wärmebehandlung und geringe Leitungsverluste erfordern und gleichzeitig die elektrischen Anforderungen der Fahrzeugklasse erfüllen.

Merkmale und Vorteile:

• 0,7 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für Effizienzsteigerungen
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb mit hohem Strom
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source eignet sich für Mittelspannungsstufen
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Toleranz für robuste Gate-Treiberpegel

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Motorsteuerungsstufen verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für die Oberflächenmontage auf kompakten Leiterplatten

Welchen Gehäusetyp wird für die Montage verwendet?

Er wird in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?

Er ist für den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.

Welche Kanalpolarität sollte für die Designintegration erwartet werden?

Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Leitungskanal, der für Low-Side- und synchrone Topologien geeignet ist.

Welcher Zuverlässigkeitsstandard gilt für den Einsatz im Automobilbereich?

Er erfüllt die AEC-Q101-Qualitätskriterien für Halbleiterkomponenten in der Automobilindustrie.

Entspricht es den Umweltgefahrenbeschränkungen?

Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für Beschränkungen gefährlicher Stoffe.