Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 243-9302
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL60HS118
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRL60HS118
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRL60HS118 von Infineon ist in drei verschiedenen Spannungsklassen (60 V, 80 V und 100 V) erhältlich. Die neuen Logikpegel-Leistungs-MOSFETs von Infineon eignen sich hervorragend für drahtlose Lade-, Telekommunikations- und Adapteranwendungen. Das PQFN 2x2-Gehäuse ist besonders geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und formfaktorkritische Anwendungen. Es ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen verbesserten Wirkungsgrad sowie eine erhebliche Platzersparnis.
Designs mit höherer Leistungsdichte,
höhere Schaltfrequenz,
verwendet OptiMOSTM5 Chip,
reduzierte Teilenzahl, wo immer 5-V-Netzteile verfügbar sind,
direkt von Mikrocontrollern angetrieben (langsam schalten),
Systemkostenreduzierung