ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM
- RS Best.-Nr.:
- 244-0123
- Herst. Teile-Nr.:
- RYM002N05T2CL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 0.9V | |
| Gehäusegröße | ESM | |
| Serie | RYM002N05 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 0.9V | ||
Gehäusegröße ESM | ||
Serie RYM002N05 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Rohm MOSFETs werden als extrem niedriger Einschaltwiderstand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. In einer breiten Palette von kompakten Typen, Hochleistungsausführungen und komplexen Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden, und er wird mit einer Packung von 8000 Einheiten geliefert.
Niederspannungs-(0,9 V)-Antriebstyp
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei/RoHS-konform
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