Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

792,50 €

(ohne MwSt.)

942,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,317 €792,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-1595
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R1K2P7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe bei 800-V-Super-Junction-Technologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit, das Ergebnis von Infineons über 18-jähriger bahnbrechender Innovation in der Super-Junction-Technologie.

Klassenbester FOM RDS(on) * Eoss

Klassenbester DPAK RDS(on)

Klassenbester V(GS) von 3 V

Vollständig optimiertes Portfolio

Integrierter Zener-Dioden-ESD-Schutz

Verwandte Links