Infineon ISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 81 W, 3-Pin ISS17EP06LMXTSA1 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
244-2275
Herst. Teile-Nr.:
ISS17EP06LMXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

ISS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Designflexibilität und einfache Handhabung, um die höchsten Leistungsanforderungen zu erfüllen, zu denen die -12-V-Serie von Produkten gehört, die sich ideal für Batterieschutz, Verpolungsschutz, lineare Batterieladegeräte, Lastschalter, DC/DC-Konverter und Niederspannungs-Antriebsanwendungen eignen.

P-Kanal

Niedriger Durchlasswiderstand RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

Logikpegel oder Normalpegel

Enhancement-Modus

Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei nach IEC61249-2-21

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