Infineon ISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.18 A 81 W, 3-Pin ISS55EP06LMXTSA1 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
244-2278
Herst. Teile-Nr.:
ISS55EP06LMXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

ISS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine Designflexibilität und eine einfache Handhabung, um die höchsten Leistungsanforderungen zu erfüllen, zu denen die -12-V-Serie von Produkten gehört, die sich ideal für Batterieschutz, Verpolungsschutz, lineare Batterieladegeräte, Lastschalter, DC/DC-Wandler und Niederspannungs-Antriebsanwendungen eignen.

P-Kanal,

niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on),

100 % Lawinengeprüft,

Logikpegel oder Normalpegel,

Verbesserungsmodus,

bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei nach IEC61249-2-21

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