Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 250-0532
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP149H6906XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- BSP149H6906XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-MOSFET-Transistor im Depletion-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Das Produkt ist für dv /dt ausgelegt und mit VGS(th)-Anzeige auf der Spule erhältlich. Die VDS beträgt 200 V, RDS(on)max ist 3,5 Ω und IDSS, min ist 0,14 A.
Pb-freie Bleibeschichtung und halogenfrei
Erhältlich im SOT233-Gehäuse
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