Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -21 A 3.1 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-5533
Herst. Teile-Nr.:
IRFH9310TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.39mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Breites Portfolio verfügbar