Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 56 A 140 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-5544
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3710ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

10.41mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät, das in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann.

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Extrem niedriger On-Widerstand

175 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten

Repetitive Avalanche bis zu Tjmax erlaubt

Mehrere Gehäuseoptionen

Bleifrei

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