Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 140 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-5550
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR7540TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.
Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode
Bleifrei, RoHS-konform
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