Infineon HEXFET IRFH7545TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 85 A PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5818
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7545TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
0,918 €
(ohne MwSt.)
1,092 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,918 € | 4,59 € |
| 50 - 120 | 0,808 € | 4,04 € |
| 125 - 245 | 0,764 € | 3,82 € |
| 250 - 495 | 0,596 € | 2,98 € |
| 500 + | 0,454 € | 2,27 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 257-5818
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7545TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Breites Portfolio verfügbar
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Breites Portfolio verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 85 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PQFN |
| Serie | HEXFET |
| Montage-Typ | SMD |
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