Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN

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257-5818
Herst. Teile-Nr.:
IRFH7545TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

85A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.17mm

Breite

6 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Breites Portfolio verfügbar

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