Infineon HEXFET IRFH5215TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 27 A PQFN

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Niedriger RDSon (< 58 m)
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)
100 % Rg getestet
Niedrige Bauform (<09 mm)
Pinout nach Industriestandard
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich
MSL1, industrielle Qualifikation