Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 27 A 104 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5871
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5215TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
9,20 €
(ohne MwSt.)
10,95 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 4.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,84 € | 9,20 € |
| 50 - 120 | 1,582 € | 7,91 € |
| 125 - 245 | 1,492 € | 7,46 € |
| 250 - 495 | 1,38 € | 6,90 € |
| 500 + | 1,288 € | 6,44 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5871
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5215TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Niedriger RDSon (< 58 m)
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)
100 % Rg getestet
Niedrige Bauform (<09 mm)
Pinout nach Industriestandard
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich
MSL1, industrielle Qualifikation
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W IRFH7440TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin IRFH5210TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin IRFH5015TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.2 A PQFN
