Infineon HEXFET IRFH5301TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5887
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5301TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFH5301TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A PQFN

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

0,956 €

(ohne MwSt.)

1,138 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	0,956 €	4,78 €
50 - 120	0,852 €	4,26 €
125 - 245	0,802 €	4,01 €
250 - 495	0,574 €	2,87 €
500 +	0,43 €	2,15 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 257-5887
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5301TRPBF
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Datasheet - IRFH5301TRPBF

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Breites Portfolio verfügbar

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PQFN
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD

Infineon HEXFET IRFH5301TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A PQFN

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