Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9392
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS9351TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 290mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 290mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFHS-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit zwei P-Kanälen von -30 V in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse
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