Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-9392
Herst. Teile-Nr.:: IRFHS9351TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:: IRFHS9351TRPBF
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-5.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-30V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	290mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.4W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.9nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	0.9mm
	Länge	2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -30V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 290mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.4W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.9nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 0.9mm
	Länge 2mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFHS9351TRPBF

Die IRFHS-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit zwei P-Kanälen von -30 V in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN

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