Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 63 A TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-9452
Herst. Teile-Nr.:
IRLR3110ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRLR-Serie ist das 100-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Logikpegel ist für 10-V-Gate-Antriebsspannung optimiert, geeignet für 4,5-V-Gate-Antriebsspannung

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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