Teile-Nr.

Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247

RS Best.-Nr.:: 258-3950
Herst. Teile-Nr.:: IRF100P218AKMA1
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

160,375 €

(ohne MwSt.)

190,85 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

400 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 - 25	6,415 €	160,38 €
50 - 100	6,094 €	152,35 €
125 +	5,838 €	145,95 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-3950
Herst. Teile-Nr.:: IRF100P218AKMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	483A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 483A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF100P218AKMA1

Der Infineon MOSFET StrongIRFET hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.

USV- und Wechselrichteranwendungen

Halbbrückentopologien und Vollbrückentopologien

Resonanzmodus-Netzteile

Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Links