Teile-Nr.

Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247

RS Best.-Nr.:: 258-3950
Herst. Teile-Nr.:: IRF100P218AKMA1
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247

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RS Best.-Nr.:: 258-3950
Herst. Teile-Nr.:: IRF100P218AKMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	483A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Oberfläche
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 483A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Oberfläche
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF100P218AKMA1

Der Infineon MOSFET StrongIRFET hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.

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