STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A Band und Rolle

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

3,67 €

(ohne MwSt.)

4,37 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 218 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
1 - 93,67 €
10 - 993,49 €
100 - 2493,31 €
250 - 4993,14 €
500 +2,99 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
261-5045
Herst. Teile-Nr.:
STD80N450K6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands im eingeschalteten Zustand und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit beste RDS(on) x Fläche

Weltweit beste FOM (Figure of Merit)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100-prozentig Lawinengeprüft

Zener-geschützt

Verwandte Links