STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A, 7-Pin Band und Rolle

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RS Best.-Nr.:
261-5039
Herst. Teile-Nr.:
SCT040HU65G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

3.5mm

Länge

18.58mm

Breite

14 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit dem fortschrittlichen und innovativen 3. SiC-MOSFET-Technologie der Generation. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich kombiniert mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101-qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste Diode mit eigenem Gehäuse

Quellen-Sensorstift für erhöhte Effizienz

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