STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A, 7-Pin Band und Rolle
- RS Best.-Nr.:
- 261-5040
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- SCT040HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 14 mm | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 18.58mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 14 mm | ||
Höhe 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 18.58mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit dem fortschrittlichen und innovativen 3. SiC-MOSFET-Technologie der Generation. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich kombiniert mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101-qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste Diode mit eigenem Gehäuse
Quellen-Sensorstift für erhöhte Effizienz
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