STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 7 A, 3-Pin Band und Rolle

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

10,82 €

(ohne MwSt.)

12,88 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 566 Einheit(en) mit Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 910,82 €
10 - 9910,30 €
100 - 2499,78 €
250 - 4999,28 €
500 +8,82 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
261-5047
Herst. Teile-Nr.:
STH12N120K5-2AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.7mm

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands im eingeschalteten Zustand und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

AEC-Q101-qualifiziert

Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche

Bestes FoM der Branche

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links