Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13 A, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
262-6730
Herst. Teile-Nr.:
IRF7413ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie eine extrem niedrige Gate-Impedanz für vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom.

Sehr niedriger RDS(on)

100 % auf RG geprüft

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