Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 16 A 52 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
262-6775
Herst. Teile-Nr.:
IRFU3910PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

115mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29.3nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er hat einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Schnelles Schalten

Vollständig lawinenbeständig

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