Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 16 A 52 W, 3-Pin TO-251

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

6,05 €

(ohne MwSt.)

7,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 900,605 €6,05 €
100 - 2400,575 €5,75 €
250 - 4900,551 €5,51 €
500 - 9900,526 €5,26 €
1000 +0,332 €3,32 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6776
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-680
Herst. Teile-Nr.:
IRFU3910PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

115mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er hat einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Schnelles Schalten

Vollständig lawinenbeständig

Verwandte Links