Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein Hochspannungs-Leistungstransistor, der für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet zuverlässig über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die herkömmliche Leiterplattenmontage geeignet ist. Das Gerät entspricht den RoHS-Richtlinien und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und eine moderate Strombelastbarkeit erfordern.

• Die Ablassleistung von 650 V ermöglicht den Einsatz bei Hochspannungsschaltvorgängen
• 22 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen einen dauerhaften Lastfluss
• 0,158 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltprofile
• 179 W maximale Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung

• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschaltung
• Ideal für industrielle Motorwechselrichterstufen
• Wird mit Stromversorgungen in der Telekommunikationsgleichrichtung verwendet
• Kann für Front-Ends von Photovoltaik-Frequenzumrichtern verwendet werden

Das Gate darf nicht über ±30 V gegenüber der Quelle angesteuert werden, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden und langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Die Verlustleistung von 179 W erfordert ausreichende Kühlkörper und eine thermische Schnittstelle, um die Sperrschichttemperatur unter 150 °C bei kontinuierlicher Belastung zu halten.

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremer Kälte und erhöhten thermischen Bedingungen bei korrekter Montage.

Als N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus bleibt es bei Null-Gate-Vorspannung ausgeschaltet und erfordert einen positiven Gate-Antrieb zur Durchführung, was die Steuerung in Low-Side- und High-Side-Topologien vereinfacht.