Infineon IMBG120R060M1HXTMA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 273-2769
Herst. Teile-Nr.:: IMBG120R060M1HXTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IMBG120R060M1HXTMA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 7-Pin TO-263

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Datasheet - IMBG120R060M1HXTMA1

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Produktdetails

Der Infineon MOSFET hat eine Reduzierung der Systemkomplexität und der Kosten. Dieser MOSFET verfügt über eine robuste Gehäusediode für harte Schaltungen, eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung von 4,5 V, einen Sensorstift für optimierte Schaltleistung und .XT-Verbindungstechnologie für beste thermische Leistung in ihrer Klasse. Der Gehäuseabstand und der Abstandsabstand sind größer als 6,1 mm.

Effizienzverbesserung
Reduzierung der Kühlungsbelastung
Erhöhte Leistungsdichte
Sehr niedrige Schaltverluste
Ermöglicht höhere Frequenz
Robust gegen parasitäre Einschaltung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	36 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Gehäusegröße	TO-263
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	7
Channel-Modus	Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	SiC

Infineon IMBG120R060M1HXTMA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 7-Pin TO-263

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