Infineon IPU Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 73 W, 3-Pin IPU95R750P7AKMA1 PG-TO251-3

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RS Best.-Nr.:
273-3023
Herst. Teile-Nr.:
IPU95R750P7AKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Gehäusegröße

PG-TO251-3

Serie

IPU

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.75Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

73W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde entwickelt, um die wachsenden Bedürfnisse der Verbraucher in der Hochspannungs-MOSFET-Arena zu erfüllen. Die neueste 950-V-Kühl-MOS-P7-Technologie konzentriert sich auf den SMPS-Markt mit niedrigem Stromverbrauch. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, wodurch

Einfach zu steuern und zu entwerfen

Besserer Produktionsertrag durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen

Weniger Produktionsprobleme und geringere Feldrückstellungen

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