Infineon IPW, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 13 A 106 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 273-7473
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IPW | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 106W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IPW | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 106W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET hat den höchsten Wirkungsgrad bei hervorragender Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine hervorragende Robustheit bei harter Kommutierung und höchste Zuverlässigkeit für Resonanztopologien aus. Das Produkt ist für weiche Schalttopologien geeignet.
Niedrige Gate-Ladung
Ultraschnelle Body-Diode
Klassenbeste Reverse-Recovery-Ladung
Ermöglicht eine Lösung mit erhöhter Leistungsdichte
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