Vishay SIHF N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 39 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 279-9906
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF074N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.079Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.079Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHF-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 14 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHF074N65E-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Leistungstransistor, der für die Durchsteckmontage in Leistungsmanagement- und Schaltumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und eine moderate Strombelastbarkeit bei gleichzeitiger Einhaltung der RoHS-Beschränkungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 14 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• 0.079 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 39 W ermöglicht eine erhöhte Wärmeleistung
• 8 nC typische Gate-Ladung sorgt für reaktionsschnelles Schaltverhalten
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht einen großen Antriebsspannungsbereich
• 14 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• 0.079 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 39 W ermöglicht eine erhöhte Wärmeleistung
• 8 nC typische Gate-Ladung sorgt für reaktionsschnelles Schaltverhalten
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht einen großen Antriebsspannungsbereich
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Verwendet mit Hochspannungs-DC-DC-Wandler-Topologien
• Kann für die Umwandlung erneuerbarer Energien verwendet werden
• Geeignet für Leistungsfaktorkorrektur-Front-End-Schaltkreise
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Verwendet mit Hochspannungs-DC-DC-Wandler-Topologien
• Kann für die Umwandlung erneuerbarer Energien verwendet werden
• Geeignet für Leistungsfaktorkorrektur-Front-End-Schaltkreise
Welche thermischen Extreme kann dieses Gerät im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen, in denen eine hohe Temperaturbeständigkeit erforderlich ist.
Welche Befestigungsmethode ist für die Installation erforderlich?
Die Komponente verwendet ein TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für die Leiterplattenmontage mit einer Standard-Kühlkörperoption für ein verbessertes Wärmemanagement.
Wie wirkt sich die Gate-Charakteristik auf das Schaltdesign aus?
Eine typische Gate-Ladung von 8 nC auf der angegebenen Gate-Antriebsstufe informiert über die Auswahl des Gate-Treibers, um die Schaltgeschwindigkeit mit der Stromaufnahme des Antriebs auszugleichen.
Gibt es Einschränkungen der Gate-Antriebsspannung, um Schäden zu vermeiden?
Das Gerät nimmt Gate-to-Source-Spannungen von bis zu 30 V auf, daher müssen die Designs sicherstellen, dass die Antriebsschaltkreise diesen Schwellenwert nicht überschreiten.