Vishay SIHF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 39 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
279-9907
Herst. Teile-Nr.:
SIHF074N65E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SIHF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.079Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität

Avalanche-Energie-Nennwert

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

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