Vishay SIHF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 39 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 279-9907
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF074N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.079Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.079Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 14 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHF074N65E-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und -steuerung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und bietet eine praktische Wahl für reparierbare Baugruppen und Prototypenbau, bei denen eine robuste Spannungsverarbeitung und eine einfache Montage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 14 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhaftes Lastmanagement • 0,079 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 8 nC-typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten • Maximale Gate-Source-Nennleistung von 30 V ermöglicht breite Gate-Antriebsmargen • Die Verlustleistung von 39 W bewältigt thermische Belastungen während des Betriebs
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile • Ideal für industrielle Motorantriebsfrontenden Enden • Wird für Leistungsfaktorkorrekturstufen in Wandlern verwendet • Kann für Wechselrichter und Schweißleistungselektronik verwendet werden • Geeignet für Laborprototypen und Durchsteckreparaturen
Welchem Temperaturbereich hält es im Betrieb stand?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C maximale Sperrschichttemperatur für Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Wie viele Befestigungsstifte und welches Gehäuse verwendet es?
Es wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften für eine einfache Leiterplatten- oder Kühlkörperbefestigung geliefert.
Welche typischen dynamischen Eigenschaften beeinflussen Schaltverluste?
Die typische Gate-Ladung beträgt 8 nC am Nenn-Gate-Antrieb, was die Schaltübergangsenergie und die Treibergröße beeinflusst.
Ist es für Qualifizierungsprozesse in der Automobilindustrie geeignet?
Es ist nicht als Kfz-Standardteil bezeichnet und sollte daher nicht verwendet werden, wo eine Kfz-Zertifizierung erforderlich ist.