Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es ist für den Einsatz in der Durchsteckmontage an Stromversorgungsbaugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Avalanche- und Wärmebehandlung erforderlich ist. Das Gerät arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die einen erheblichen Leistungsdurchsatz und Gate-Drive-Flexibilität erfordern.

• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerlastbetrieb • 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand • Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine höhere thermische Belastbarkeit • 38 nC-Gate-Ladung erleichtert vorhersehbares Schaltverhalten • 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht eine großzügige Antriebsspanne für Gate-Schaltkreise

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen • Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen • Wird für Schaltnetzteile in Automatisierungsgeräten verwendet • Kann für Ventil- oder Magnetantriebsstromkreise verwendet werden, die Durchsteckkomponenten erfordern • Wird mit diskreten Leistungsstufen in Labor- und Prüfregalen verwendet

Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, der an der Gehäusebefestigungsfläche befestigt ist, und sorgen Sie für einen Luftstrom oder thermisches Schnittstellenmaterial, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb sicherer Grenzen zu halten.

Er ist für den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich spezifiziert und erfordert eine Reduzierung der zulässigen Strom- und Verlustleistung, da sich die Sperrschichttemperatur seiner maximalen Bemessungsgrenze nähert.

Ein Gate-Treiber, der in der Lage ist, Ströme zu versorgen und zu senken, um die angegebenen Gate-Lade-Übergangszeiten zu erreichen, wird empfohlen, wobei die 30-V-Gate-Source-Grenze eingehalten wird.

Die Schaltverluste messen sich mit der Frequenz und der gate-ladungsinduzierten Übergangsenergie ab, wodurch Übergangszeiten minimiert und die Wärmeableitung bei hohen Schaltraten gesteuert wird.