Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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279-9924
Herst. Teile-Nr.:
SIHP074N65E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHP

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.078Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 35 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP074N65E-GE3


Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -umwandlung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er unterstützt die Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste thermische Handhabung und einen Gate-Schutz in einem breiten Umgebungsbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 35 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Stromversorgung
• 0,078 Ω RDS(on) liefert niedrige Leitungsverluste
• 250 W Verlustleistung für erhöhte thermische Leistung
• 8 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Drive-Schaltung
• Maximaler Gate-Source-Schutz von 30 V zur Begrenzung der Gate-Spannung

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorwechselrichterstufen
• Wird für Stromaufbereitungsschaltkreise für erneuerbare Energien verwendet
• Kann zum Hartschalten in industriellen Wandlern verwendet werden
• Geeignet für den Austausch von Durchgangsbohrungen in älteren Designs

Welchen extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?


Er arbeitet zuverlässig in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht so den Einsatz unter rauen Umgebungsbedingungen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Kühlung und Montage aus?


Das TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung bietet eine Metalllasche für Kühlkörper und eine einfache Leiterplatten- oder Chassisbefestigung für ein verbessertes Wärmemanagement.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltleistung erforderlich?


Gate-Treiber so ausgelegt, dass sie genügend Strom für eine Gate-Ladung von 8 nC liefern, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten unter Einhaltung der Gate-Source-Grenze von 30 V zu erreichen.

Gibt es spezifische Vorwärtsleitungsmerkmale?


Das Gerät weist eine Durchlassspannung von 1,2 V unter Leitung auf, die in den Verlust- und thermischen Berechnungen berücksichtigt werden sollte.

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