Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin 8x8LR

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Schaltfunktionen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er bietet eine Kombination aus hoher Blockierungsspannung, erheblicher Dauerstromfähigkeit und einer Gate-Nennspannung, die für gängige Antriebsschaltkreise geeignet ist, wodurch er sich für Systeme eignet, die kompakte Schaltungen mit hoher Leistung in beengten Layouts benötigen.

• 600-V-Sperrkapazität ermöglicht den Einsatz in Hochspannungsanlagen
• 51 A Dauerstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 0.084 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 500 W ermöglicht eine dauerhafte Handhabung hoher Leistung
• Typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Bewertung von 30 V schützt vor übermäßigen Gate-Antriebsspannungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Front-Ends
• Wird mit Wechselrichterstufen für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Schweißen mit mittlerer Leistung und Induktionsheizung

Er arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz unter weiten thermischen Bedingungen, ohne dass er für mäßige Temperaturunterdrückungen ausfällt.

Die 8-polige oberflächenmontierbare Grundfläche von 8 x 8 L ermöglicht eine dichte Platzierung der Leiterplatten und bietet gleichzeitig eine ausreichende thermische und elektrische Konnektivität.

Die typische Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand beeinflusst und bei den thermischen und Wirkungsgradberechnungen berücksichtigt werden muss.

Es ist nicht als Automotive-Qualität angegeben, daher sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es den Autospezifischen Normen für Fahrzeugelektronik entspricht.