Vishay SIHR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin 8x8LR

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Herst. Teile-Nr.:
SIHR080N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

8x8LR

Serie

SIHR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität

Avalanche-Energie-Nennwert

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

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