onsemi N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 900 V Erweiterung / 116 A, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 284-9063
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L020N090SC1
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 284-9063
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L020N090SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 116A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 116A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Siliziumkarbid-MOSFET von ON Semiconductor findet Anwendung in USV, Gleichspannungswandlern und Boost-Invertern.
Niedrige effektive Ausgangskapazität
100% UIL-geprüft
Dieses Gerät ist halogenfrei und RoHS-konform mit Ausnahme von 7a und Pb-frei