Vishay IRF840APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 542-9440
Herst. Teile-Nr.:: IRF840APBF
Marke:: Vishay

Vishay IRF840APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Der Vishay Leistungs-MOSFET verfügt über Qg mit niedriger Gate-Ladung, was zu einem einfachen Treiberbedarf führt und eine verbesserte Gate-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit bietet.

Betriebstemperaturbereich von Verbindung und Lagerung: 55 bis +150 °C.

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	850 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	10.41mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.7mm
Höhe	9.01mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

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Herst. Teile-Nr.:: IRF840APBF
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Vishay IRF840APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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