onsemi NDS332 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 500 mW, 3-Pin NDS332P SOT-23

RS Best.-Nr.:: 671-1087
Herst. Teile-Nr.:: NDS332P
Marke:: onsemi

onsemi NDS332 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 500 mW, 3-Pin NDS332P SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 671-1087
Herst. Teile-Nr.:: NDS332P
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	NDS332
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	300mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.7nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2.92mm
	Höhe	0.94mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.4 mm
	Automobilstandard	Nein
	Distrelec Product Id	304-43-739

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie NDS332
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2.92mm
	Höhe 0.94mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.4 mm
	Automobilstandard Nein
	Distrelec Product Id 304-43-739

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.