Vishay N-Kanal, THT MOSFET Transistor 90 V / 900 mA 6,25 W, 3-Pin TO-205AD

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
708-2841
Herst. Teile-Nr.:
2N6661-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

900 mA

Drain-Source-Spannung max.

90 V

Gehäusegröße

TO-205AD

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.8V

Verlustleistung max.

6,25 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

9.4mm

Breite

8.15mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

6.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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