Vishay Si7850DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.2 A 1.8 W, 8-Pin SI7850DP-T1-E3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
710-4764
Herst. Teile-Nr.:
SI7850DP-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

Si7850DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.9mm

Höhe

1.04mm

Breite

5.89 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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