- RS Best.-Nr.:
- 725-8313
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192,115
- Marke:
- Nexperia
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 725-8313
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192,115
- Marke:
- Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
Der Nexperia a BSS 192 ist ein vertikaler P-Kanal-Verbesserungsmodus-Doppeldiffused-Feldeffekttransistor (D-MOSFET) in einem SOT89 (SC-62)-SMD-Kunststoffgehäuse mit mittlerer Leistung und Flachkabel.
Direkte Schnittstelle zu komplementären (C-MOS) transitiven und transistor-transistor-logischen (TTL) Geräten
Sehr schnelle Schaltung
Kein sekundärer Ausfall
Sehr schnelle Schaltung
Kein sekundärer Ausfall
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 240 V |
Gehäusegröße | SOT-89 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 12 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.8V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
Verlustleistung max. | 1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 2.6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 4.6mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 1.6mm |
Verwandte Produkte
- Nexperia BSS192,115 P-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 200 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- Infineon SIPMOS® BSS87H6327FTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 260...
- Nexperia BSS87,115 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 400 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- Infineon SIPMOS® BSS192PH6327FTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 190...
- Microchip VP2450 VP2450N8-G P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 160 mA 1,6...
- DiodesZetex ZVN4525ZTA N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 240 mA 1,2 W,...
- Infineon OptiMOS™ 3 BSS606NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V /...
- Infineon OptiMOS™ 3 BSS606NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V /...