Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6 A 1,25 W, 3-Pin SOT-346T (SC-96)
- RS Best.-Nr.:
- 772-5276P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ626-T1B-A
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 80 - 380 | 0,192 € |
| 400 - 980 | 0,188 € |
| 1000 - 11980 | 0,184 € |
| 12000 + | 0,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 772-5276P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ626-T1B-A
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOT-346T (SC-96) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 550 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 1.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,2 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOT-346T (SC-96) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 550 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 1.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,2 nC @ 10 V | ||
Höhe 1mm | ||