Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 14 A 2 W, 6-Pin SC-95

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RS Best.-Nr.:
772-6617P
Herst. Teile-Nr.:
UPA1918TE-T1-A
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

14 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SC-95

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

2.9mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.5mm

Höhe

1mm

Ursprungsland:
JP

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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