Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4 A 1 W, 4-Pin SC-62

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RS Best.-Nr.:
772-5188P
Herst. Teile-Nr.:
2SJ278MYTR-E
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SC-62

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.25V

Verlustleistung max.

1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

4.5mm

Höhe

1.5mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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