Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,6 A 200 mW, 3-Pin SOT-416 (SC-75)

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RS Best.-Nr.:
772-5270P
Herst. Teile-Nr.:
2SJ648-T1-A
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

1,6 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-416 (SC-75)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,98 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.8V

Verlustleistung max.

200 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

0.8mm

Länge

1.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.75mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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