Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A 5 W, 4-Pin SC-62
- RS Best.-Nr.:
- 772-6608P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQJ0601DGDQS#H3
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 772-6608P
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- RQJ0601DGDQS#H3
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SC-62 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 210 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 4.5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,6 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SC-62 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 210 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Verlustleistung max. 5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 4.5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,6 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
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