Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 1.5 W, 4-Pin SC-62

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RS Best.-Nr.:
772-6601P
Herst. Teile-Nr.:
RQK0609CQDQS#H3
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SC-62

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

125 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.4V

Verlustleistung max.

1.5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Länge

4.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5 nC @ 4,5 V

Höhe

1.5mm

Ursprungsland:
JP

N-Kanal-Niederspannungs-MOSFETs bis 140 V, Renesas Electronics



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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