Vishay Si7454DDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 21 A 29.7 W, 8-Pin SO-8

Mengenrabatt sichern

100 weitere Einheiten hinzufügen, um 7,00 € zu sparen

Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

13,98 €

(ohne MwSt.)

16,64 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5.320 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
Ihre Ersparnis
10 - 901,398 €13,98 €-
100 - 2401,328 €13,28 €7,00 €
250 - 4901,117 €11,17 €70,25 €
500 - 9900,908 €9,08 €245,00 €
1000 +0,768 €7,68 €630,00 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9241
Herst. Teile-Nr.:
SI7454DDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

Si7454DDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

29.7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Breite

5.26mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.