Vishay Si7454DDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 21 A 29.7 W, 8-Pin SO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

10,48 €

(ohne MwSt.)

12,47 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.860 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,048 €10,48 €
100 - 2400,996 €9,96 €
250 - 4900,838 €8,38 €
500 - 9900,681 €6,81 €
1000 +0,575 €5,75 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9241
Herst. Teile-Nr.:
SI7454DDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

Si7454DDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

29.7W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links