Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 62.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
787-9373
Herst. Teile-Nr.:
SIRA06DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

730mV

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

-16V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.26mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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